Конференции

Отдел является организатором конференции по физике поверхности International School on Surface Science "Technologies and Measurements on Atomic Scale" и соорганизатором Школы по квантовым технологиям.

Доклады сотрудников отдела в 2024 г.:

7.  Т.В. Павлова, "DFT-расчеты взаимодействия молекул с поверхностью полупроводника". Семинар по теоретической радиофизике ФИАН (Москва), 7 февраля 2024 г. Приглашенный доклад.

6. Т.В. Павлова, "Атомно-точное внедрение фосфора в кремний". Семинар в МИЭМ ВШЭ (Москва), 21 февраля 2024 г. Приглашенный доклад.

5. К.Н. Ельцов, "Квантовые схемы на кремниевой платформе". VII Международная школа по квантовым технологиям (Миасс, Россия), 25 февраля - 2 марта 2024 г. Приглашенный доклад.

4. Т.В. Павлова, "Создание кубитов на атомах фосфора в кремнии методом СТМ-литографии по монослою галогенов". VII Международная школа по квантовым технологиям (Миасс, Россия), 25 февраля - 2 марта 2024 г. Приглашенный доклад.

3. А.В. Исаков, Н.С. Комаров, Б.В. Андрюшечкин, "Синтез 2D-материалов на основе галогенидов металлов". Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, Россия), 11-15 марта 2024. Устный доклад.

2. Т.В. Павлова, В.М. Шевлюга, "Взаимодействие PBr₃ с поверхностью Si(100), покрытой монослоем хлора с вакансиями". Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, Россия), 11-15 марта 2024. Устный доклад.

1. Е.Ф. Миргазизова, К.Н. Ельцов, "Формирование и морфология SERS-активных структур на хлорированной поверхности Cu(100)". Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, Россия), 11-15 марта 2024. Устный доклад.

Доклады сотрудников отдела в 2023 г.:

7.  К.Н. Ельцов, "Оптические измерения на атомном уровне. Современные возможности". IV Всероссийская конференция «Особенности применения сканирующей зондовой микроскопии в вакууме и различных средах» (Черноголовка, Россия), 30 мая -1 июня 2023 г. Приглашенный доклад.

6.  Т.В. Павлова, Ю.А. Воронцова, В.М. Шевлюга, "Изучение взаимодействия PBr₃ c Si(100) и Si(100)-Cl для точного легирования кремния". IV Всероссийская конференция «Особенности применения сканирующей зондовой микроскопии в вакууме и различных средах» (Черноголовка, Россия), 30 мая -1 июня 2023 г. Приглашенный доклад.

5.  Б.В. Андрюшечкин, В.М. Шевлюга, Т.В. Павлова, Н.С. Комаров, К.Н. Ельцов, "Структуры из атомов кислорода и хлора на поверхности Ag(111) и их роль в реакции эпоксидирования этилена". IV Всероссийская конференция «Особенности применения сканирующей зондовой микроскопии в вакууме и различных средах» (Черноголовка, Россия), 30 мая -1 июня 2023 г. Приглашенный доклад.

4.  V. M. Shevlyuga, Y. A. Vorontsova, T. V. Pavlova, "First-principle study of phosphorus incorporation into silicon by PBr₃ adsorption on Si(100)". Школа-конференция Saint Petersburg OPEN (Санкт-Петербург, Россия), 23-26 мая 2023 г. Стендовый доклад.

3.  Б.В. Андрюшечкин, "Коадсорбция кислорода и хлора на поверхности серебра". Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, Россия), 13-16 марта 2023. Приглашенный доклад.

2.  Т.В. Павлова, В.М. Шевлюга, Ю.А. Воронцова, "Встраивание фосфора в кремний при адсорбции PBr₃ на Si(100)". Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, Россия), 13-16 марта 2023. Устный доклад.

1. Vladimir Shevlyuga, Yulia Vorontsova, Tatiana Pavlova, “Phosphorus incorporation into silicon by PBr₃ adsorption on Si(100)”. VI Международная школа по квантовым технологиям (Миасс, Россия), 26 февраля - 4 марта 2023 г. Стендовый доклад.

Доклады сотрудников отдела в 2022 г.:

13.  Е.Ф. Миргазизова, "Покрытые графеном Ni-иглы для СТМ-литографии атомной точности". Школа-конференция молодых ученых «Прохоровские недели» (Москва, Россия). 18-20 октября 2022. Устный доклад.

12. Т.В. Павлова, “Оборванные связи кремния на поверхности Si(100)”. Школа-конференция молодых ученых «Прохоровские недели» (Москва, Россия). 18-20 октября 2022. Приглашенный доклад.

11.  Е.Ф. Миргазизова, Т.В. Павлова, К.Н. Ельцов, V Международная школа по квантовым технологиям (Сочи, Россия). 2-8 октября 2022. Устный доклад.

10. Т.В. Павлова, “Donor spin qubits in silicon”. V Международная школа по квантовым технологиям (Сочи, Россия). 2-8 октября 2022. Лекция.

9. Т.В. Павлова, В.М. Шевлюга, Ю.А. Воронцова, Б.В. Андрюшечкин, К.Н. Ельцов, “Внедрение одиночных атомов фосфора в кремний через маску из монослоя галогена”. Международная конференция «Кремний 2022» (Новосибирск, Россия). 26-30 сентября 2022. Устный доклад.

8. Е.Ф. Миргазизова, Т.В. Павлова, К.Н. Ельцов, “Покрытые графеном Ni-иглы для СТМ-литографии атомной точности на поверхности кремния”. Международная конференция «Кремний 2022» (Новосибирск, Россия). 26-30 сентября 2022. Устный доклад.

7. Н.С. Комаров, В.М. Шевлюга, Б.В. Андрюшечкин, “Структурные фазовые переходы в монослое хлора на гранях Ag(100) и Ag(110)”. III Всероссийская конференция «Особенности применения сканирующей зондовой микроскопии в вакууме и различных средах» (Черноголовка, Россия), 1-3 июня 2022 г. Приглашенный доклад.

6.  А.В. Исаков, С.Д. Захаров, Н.С. Комаров, Б.В. Андрюшечкин, “Атомная структура монослойных пленок NiI2 и AgI, синтезированных на гранях Ni(110) и Ag(111) в условиях сверхвысокого вакуума”. III Всероссийская конференция «Особенности применения сканирующей зондовой микроскопии в вакууме и различных средах» (Черноголовка, Россия), 1-3 июня 2022 г. Устный доклад.

5. Е.Ф. Миргазизова, Т.В. Павлова, К.Н. Ельцов, “Покрытые графеном Ni-иглы для СТМ-литографии кремния”. III Всероссийская конференция «Особенности применения сканирующей зондовой микроскопии в вакууме и различных средах» (Черноголовка, Россия), 1-3 июня 2022 г. Устный доклад.

4.  Т.В. Павлова, В.М. Шевлюга, “Зарядовые состояния оборванной связи кремния и переходы между ними на поверхности Si(100)-2×1-Br”. III Всероссийская конференция «Особенности применения сканирующей зондовой микроскопии в вакууме и различных средах» (Черноголовка, Россия), 1-3 июня 2022 г. Приглашенный доклад.

3. Б. В. Андрюшечкин, Т.В. Павлова, “Синтез двумерных ван-дер-Ваальсовых пленок на основе галогенидов металлов в условиях сверхвысокого вакуума”. Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, Россия). 14-17 марта 2022. Приглашенный доклад.

2. Т.В. Павлова, В.М. Шевлюга, “Диффузия заряженных вакансий на поверхности Si(100)-2×1-Br”. Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, Россия). 14-17 марта 2022. Устный доклад.

1. Т.В. Павлова, В.М. Шевлюга, “Непрерывные двухэлектронные переходы на оборванной связи кремния”. Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, Россия). 14-17 марта 2022. Стендовый доклад.

Доклады сотрудников отдела в 2021 г.:

2. Т.В. Павлова, В.М. Шевлюга, К.Н. Ельцов, “Оборванные связи кремния на поверхности Si(100)-2×1-Cl в качестве одноатомных квантовых точек”. Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, Россия). 9-12 марта 2021. Приглашенный доклад.

1. К.Н. Ельцов, “На что способен сверхвысоковакуумный сканирующий зондовый микроскоп”. Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, Россия). 9-12 марта 2021. Приглашенный доклад.

Доклады сотрудников отдела в 2020 г.:

5. Т.В. Павлова, “Квантово-химические расчеты в отделе ТИАМ ИОФРАН”. Доклад на семинаре Межведомственного суперкомпьютерного центра РАН (Москва, Россия). 18 декабря 2020.

4. Б. В. Андрюшечкин, “Наноструктурирование поверхности металлов при воздействии галогенов: исследования на атомном уровне.” Конференция «Квантовые материалы и технологии на нанометровой шкале». (Москва, Россия). 26 ноября 2020. Приглашенный доклад. Сборник тезисов, стр. 11-12.

3. Т.В. Павлова, В.М. Шевлюга, К.Н. Ельцов, “Заряженные дефекты на поверхности Si(100)-2×1-H и Si(100)-2×1-Cl”. II Всероссийская конференция «Особенности применения сканирующей зондовой микроскопии в вакууме и различных средах» (Черноголовка, Россия). 27-29 октября 2020. Приглашенный доклад. Сборник кратких тезисов, стр. 24.

2. Б. В. Андрюшечкин, “Начальные стадии окисления серебра: оксидные и карбонатные структуры”. Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, Россия). 10-13 марта 2020. Приглашенный доклад. Том 1 сборника тезисов, стр. 319-320.

1. Т.В. Павлова, В.М. Шевлюга, Б.В. Андрюшечкин, К.Н. Ельцов, “СТМ-манипулирование атомами хлора на поверхности Si(100)-2x1-Cl при локальном пересыщении”. Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, Россия). 10-13 марта 2020. Приглашенный доклад. Том 1 сборника тезисов, стр. 386-387.

Доклады сотрудников отдела в 2019 г.:

9. Т.В. Павлова, В.М. Шевлюга, Б.В. Андрюшечкин, К.Н. Ельцов, “СТМ-литография на поверхности Si(100)-2x1-Cl для создания квантового регистра на примесных атомах в кремнии”. Cеминар Научного совета ОНИТ РАН по теме «Квантовые вычисления» (Черноголовка, Россия). 11 декабря 2019. Приглашенный доклад. 

8. Б. В. Андрюшечкин, К.Н. Ельцов, “Двумерный переход «соразмерная – несоразмерная фаза»: конденсация краудионов в доменные стенки”. Совместное заседание Ученых советов ФИАН – ИОФРАН, посвященное 85-летию создания Физического института им. П.Н. Лебедева (ФИАН, Москва, Россия), 25 ноября 2019 г. Приглашенный доклад.

7. Б. В. Андрюшечкин, “Структурные фазовые переходы на поверхности металлов при взаимодействии с галогенами”. Заседание Диссертационного совета Д 002.063.02 (Москва, Россия), 28 октября 2019 г. Защита диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук.

6. T.V. Pavlova, V.M. Shevlyuga, B.V. Andryushechkin, G.M. Zhidomirov, K.N. Eltsov, “STM manipulations on Si(100)-2x1-Cl for precise incorporation of impurities into silicon”. Silicon Quantum Electronics Workshop 2019 (San Sebastian, Spain), 14-16 октября 2019 г. Стендовый доклад.

5. Т.В. Павлова, В.М. Шевлюга, Б.В. Андрюшечкин, Г.М. Жидомиров, К.Н. Ельцов, “СТМ-литография на хлорированной поверхности Si(100) с удалением кремния”. Всероссийская конференция «Особенности применения сканирующей зондовой микроскопии в вакууме и различных средах» (Черноголовка, Россия), 4-6 июня 2019 г. Приглашенный доклад.

4. Б. В. Андрюшечкин, В.М. Шевлюга, Т.В. Павлова, Г.М. Жидомиров, К.Н. Ельцов, “Начальные стадии окисления серебра”. Всероссийская конференция «Особенности применения сканирующей зондовой микроскопии в вакууме и различных средах» (Черноголовка, Россия), 4-6 июня 2019 г. Приглашенный доклад.

3. Н.С.  Комаров, Т. В. Павлова, Б. В. Андрюшечкин, “Взаимодействие молекулярного йода с поверхностью никеля”. Всероссийская конференция «Особенности применения сканирующей зондовой микроскопии в вакууме и различных средах» (Черноголовка, Россия), 4-6 июня 2019 г. Устный доклад.

2. Н.С.  Комаров, Т. В. Павлова, Б. В. Андрюшечкин, “Атомная картина структурных фазовых переходов в системе йод/никель. Симметрия подложки и структурные фазовые переходы в 2D слое йода на поверхности никеля”. XXІII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, Россия), 11-14 марта 2019. Устный доклад.

1. П.С. Оришина, Т. В. Павлова, “Возможность применения резиста из монослоя хлора для СТМ-литографии”. 2-я Российская школа по квантовым технологиям (Красная Поляна, Россия), 2-7 марта 2019. Стендовый доклад.

Доклады сотрудников отдела в 2018 г.:

21. T.V. Pavlova, V.M. Shevlyuga, B.V. Andryushechkin, G.M. Zhidomirov, K.N. Eltsov “STM chlorine resist lithography on Si(100)-2×1 surface for the fabrication of donor-based atomic scale devices”. Silicon Quantum Electronics Workshop 2018 (Sydney, Australia). Устный доклад.

20. T.V. Pavlova “Negatively charged donor state under Si(100) surface in electric and magnetic fields”. Silicon Quantum Electronics Workshop 2018 (Sydney, Australia). Стендовый доклад. 

19. Комаров Н.С., Павлова Т.В., Андрюшечкин Б.В. «Адсорбция йода на поверхность Ni(100): структурные фазовые переходы и реконструкция». Школа-конференция молодых ученых ИОФ РАН - Прохоровские недели. (Москва) 2018. Устный доклад. 

18. Коваленко С.Л., Павлова Т.В., Канищева О.И., Ельцов К.Н. «Термопрограммируемый синтез монокристаллов азотированного графена из молекул ацетонитрила», Школа-конференция молодых ученых ИОФ РАН - Прохоровские недели. (Москва) 2018. Устный доклад. 

17. Tatiana V. Pavlova, Egor S. Skorokhodov, Vladimir M. Shevlyuga, Boris V. Andryushechkin, Georgy M. Zhidomirov, Konstantin N. Eltsov «Phosphorus Incorporation into Si(100) by PH3 Adsorption through STM Patterned Chlorine Monolayer». 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) (Sendai, Japan). 2018. Устный доклад.

16. Tatiana V. Pavlova, Boris V. Andryushechkin, Vladimir M. Shevlyuga, Georgy M. Zhidomirov, Konstantin N. Eltsov «Low-Energy Pathway of Local Oxide Formation on Ag(111)». 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) (Sendai, Japan). 2018. Стендовый доклад.

15. Ельцов К.Н. «Синтез монокристаллов графена большого размера» 17-я Международная научная конференция-школа - Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение (Саранск) 2018. Устный доклад.. 

14. Коваленко С.Л., Павлова Т.В., Канищева О.И., Ельцов К.Н. «Термопрограммируемый синтез монокристаллов азотированного графена из молекул ацетонитрила» 17-я Международная научная конференция - школа - Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение (Саранск) 2018. Устный доклад. 

13. Т.В. Павлова, К.Н. Ельцов «Расстановка атомов фосфора с атомной точностью на поверхности кремния в задачах квантовых вычислений». Международная конференция «Суперкомпьютерные дни в России» (Москва). 2018. Устный доклад.

12. Andryushechkin B.V., Shevlyuga V.M., Pavlova T.V., Zhidomirov G.M., Eltsov K.N. «Coadsorption of chlorine and oxygen on Ag(111): STM and DFT study» 34 European Conference on Surface Science (ECOSS-34) (Aarhus, Denmark). 2018. Устный доклад.

11. Komarov N.S., Pavlova T.V., Andryushechkin B.V. «Iodine adsorption on Ni(100): structural phase transitions and reconstruction» 34 European Conference on Surface Science (ECOSS-34) (Aarhus, Denmark) 2018. Стендовый доклад.

10. T.V. Pavlova «Negatively charged state on phosphorus atom in the silicon quantum computer architecture». Bad Honnef Physics School on Quantum Technologies (Bad Honnef, Germany). 2018. Стендовый доклад.

9. С.Л. Коваленко, О.И. Канищева, Т.В. Павлова, К.Н. Ельцов «Термопрограммируемый синтез азотированного графена на поверхности Ni(111)». 1-я Российская школа по квантовым технологиям (Сочи, Россия). 2018. Стендовый доклад.

8. Е.С. Скороходов, Т.В. Павлова, К.Н. Ельцов «Адсорбция атома кремния на хлорированную поверхность Si(100)». 1-я Российская школа по квантовым технологиям (Сочи, Россия). 2018. Стендовый доклад.

7. Т.В. Павлова «Квантовый компьютер на основе отдельных атомов примеси в системе 28Si:31P. Cостояние, проблемы и перспективы». 1-я Российская школа по квантовым технологиям (Сочи, Россия). 2018. Пленарный доклад (лекция).

6. T.V. Pavlova, S. L. Kovalenko, K. N. Eltsov «Mechanism of gold intercalation under monocrystalline graphene synthesized on Ni(111) by TPG». Symposium on Surface Science (St. Christoph am Arlberg, Austria). 2018. Устный доклад.

5. Комаров Н.С., Андрюшечкин Б.В. «Структурные фазовые переходы в слое хемосорбированного йода на поверхности Ni(100)». Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород). 2018. Стендовый доклад. 

4. Коваленко С.Л., Павлова Т.В., Канищева О.И., Ельцов К.Н. «Атомные дефекты в азотированном графене». Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород). 2018. Стендовый доклад. 

3. Ельцов К.Н., Т.В. Павлова, Е.С. Скороходов «Квантовый компьютер на основе отдельных атомов примеси в системе 28Si:31P. Состояние, проблемы и перспективы». Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород). 2018. Приглашенный доклад. 

2. Т.В. Павлова,  С.Л. Коваленко, К.Н. Ельцов «Механизм интеркаляции золота под монослой графена на поверхности Ni(111)». Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород). 2018. Приглашенный доклад.

1. Т.В. Павлова, В.М. Шевлюга, Б.В. Андрюшечкин, Е.С. Скороходов, К.Н. Ельцов «Прецизионная расстановка атомов фосфора в решетке кремния с целью создания элементов квантового компьютера в системе 28Si:31P» Семинар № 2056 ИНСТИТУТА ОБЩЕЙ ФИЗИКИ ИМ. А.М. ПРОХОРОВА РАН (Москва). 2018. Устный доклад.